트렌드포스, HBM 시장 2025년까지 연평균 45% 이상 성장할 것으로 예측 생성형 AI 시장이 급성장하면서 AI 서버 개발을 위한 고대역폭메모리(HBM)가 IT 업계의 주목을 받고 있다. AI 서비스가 제대로 구현되기 위해서는 고성능·고용량 D램이 뒷받침돼야 하기 때문이다. 삼성전자도 이런 기술 트렌드에 발맞춰 HBM 등 차세대 D램 개발과 양산에 박차를 가하고 있다. 26일 업계에 따르면, 삼성전자는 6.4Gbps의 성능과 초저전력을 기반으로 하는 HBM3 16GB와 12단 24GB 제품 샘플을 출하 중이며 양산 준비를 완료했다. 삼성전자는 시장이 요구하는 더 높은 성능과 용량의 차세대 HBM3P 제품도 하반기 출시 예정이다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 비약적으로 끌어올린 고성능 제품이다. HBM3는 1세대(HBM), 2세대(HBM2), 3세대(HBM2E)에 이은 4세대 제품이다. 비록 HBM이 전체 D램 시장에서 차지하는 비중은 미미하지만, HBM은 메모리 불황의 새 돌파구가 될 것으로 기대를 모으고 있다. 챗GPT 같은 AI 분야 데이터 처리에 쓰이는 그래픽처리장치(GPU)에 HBM을 비롯한 D램이
삼성전자는 업계 최초로 CXL 2.0을 지원하는 128기가바이트(GB) CXL D램을 개발했다고 12일 밝혔다. CXL은 고성능 서버 시스템에서 중앙처리장치(CPU)와 함께 사용되는 가속기, D램, 저장장치 등을 보다 효율적으로 활용하기 위한 차세대 인터페이스를 말한다. 삼성전자는 지난해 5월 세계 최초로 CXL 1.1 기반 CXL D램을 개발한 데 이어 1년 만에 CXL 2.0을 지원하는 128GB D램을 개발해 차세대 메모리의 상용화 시대를 앞당겼다. 이번 제품은 PCIe(고속 입출력 인터페이스) 5.0(x 8레인)을 지원하며, 초당 최대 35GB의 대역폭을 제공한다. 특히 업계 최초로 '메모리 풀링(Pooling)' 기능을 지원한다. 메모리 풀링은 서버 플랫폼에서 여러 개의 CXL 메모리를 묶어 풀(Pool)을 만들고, 여러 호스트가 풀에서 메모리를 필요한 만큼 나눠 사용할 수 있는 기술로, CXL 메모리의 전 용량을 유휴 영역 없이 사용할 수 있게 해준다. 고객이 이 기술을 데이터센터에 적용하면 보다 효율적인 메모리 사용이 가능해 서버 운영비를 절감할 수 있다. 절감한 운영비를 서버의 메모리에 재투자하는 등 선순환 구조도 이어질 것으로 기대된다. CX
최진혁 부사장, '데이터 중심 컴퓨팅 시대의 메모리 혁신'을 주제로 발표해 삼성전자가 28일(현지시간) 미국 캘리포니아주 마운틴뷰에서 열린 반도체 학술행사인 'MemCon 2023'에서 최신 메모리 솔루션을 대거 선보였다. MemCon 2023은 AI 관련 메모리 솔루션을 심층적으로 다루기 위해 올해 처음 열린 학회로, 삼성전자를 포함해 구글, 마이크로소프트 등 글로벌 IT 기업이 참가했다. 이번 학회에서 삼성전자 미주법인 메모리연구소장 최진혁 부사장은 '데이터 중심 컴퓨팅 시대의 메모리 혁신'을 주제로 기조연설을 했다. 최 부사장은 고성능 메모리에 연산 기능을 내장한 'HBM-PIM', 연산 기능을 메모리 옆에 위치시킨 'PNM', 시스템의 메모리 용량을 테라바이트급까지 확장할 수 있는 'CXL D램' 등을 소개했다. 이뿐 아니라 SSD 내부 연산 기능을 강화한 '2세대 스마트SSD', 서버 시스템의 공간 활용도를 높인 '페타바이트 스토리지', AI·머신러닝에 최적화된 '메모리 시맨틱 SSD' 등 차세대 메모리 기술을 제시했다. 한편, 자율주행과 휴먼 로봇, 음성인식, 메타버스 등 다양한 미래 기술의 융합으로 AI 반도체 시장은 급성장하고 있다. 시장조사업
삼성전자가 업계 최초로 고용량 512GB CXL D램을 개발하고, 차세대 메모리 상용화를 앞당겼다. CXL(Compute Express Link)은 고성능 컴퓨팅 시스템에서 CPU와 함께 사용되는 가속기, 메모리, 저장장치 등을 보다 효율적으로 활용하기 위해 새롭게 제안된 인터페이스이다. 삼성전자는 지난해 5월 세계 최초로 CXL 기반 D램 기술을 개발하고 데이터센터, 서버, 칩셋 업체들과 평가를 해왔으며, 이번에 기존 대비 메모리 용량을 4배 향상시킨 512GB CXL D램을 개발했다. 또한 ASIC (주문형 반도체) 기반의 컨트롤러를 탑재해 데이터 지연 시간을 기존 제품 대비 1/5로 줄였다. 이번 제품은 PCIe 5.0을 지원하며, 대용량 SSD에 적용되는 EDSFF (Enterprise & Data Center Standard Form Factor) 폼팩터가 적용돼 기존 컴퓨팅 시스템의 D램 용량을 획기적으로 확장할 수 있다. 최근 메타버스, 인공지능, 빅데이터 등 폭발적으로 증가하는 데이터 양에 비해 기존의 DDR 인터페이스는 시스템에 탑재할 수 있는 D램 용량에 한계가 있어, CXL D램과 같은 차세대 메모리 솔루션에 대한 요구가 지속되고
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